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2003 Nov 07 3
NXP Semiconductors
Product data sheet
High-speed double diode PMBD7100
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC
60134).
Note
1. Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
Per diode
VRRM
repetitive peak reverse voltage
?
100
V
VR
continuous reverse voltage
?
100
V
IF
continuous forward current
single diode loaded; see
Fig.2; note
1
?
215
mA
double diode loaded; see
Fig.2; note
1
?
125
mA
IFRM
repetitive peak forward current
?
450
mA
IFSM
non-repetitive peak forward current
square wave; Tj
=
25
°C prior to surge;
see
Fig.4
tp
=
1
μs
?
4
A
tp
=
1
ms
?
1
A
tp
=
1
s
?
0.5
A
Ptot
total power dissipation
Tamb
=
25
°C; note
1
?
250
mW
Tstg
storage temperature
?65
+150
°C
Tj
junction temperature
?
150
°C
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